Shenzhen Keshijin Electronics Co., LTD
ENEN
جميع الفئات
ENEN
banner

MOS

الصفحة الرئيسية >  المنتجات  >  MOS

تصنيف المنتجات

KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)

KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)

استفسار
  • ملخص
  • استفسار
  • المنتجات ذات الصلة
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
KI8205T طباعة حريرية 8205 عبوة SOT 23-6 جديد المخزون الأصلي 20V 4.3A 2 أنبوب القناة N (التصريف المشترك) للتأثير الحقلية (MOSFET)
الوصف： ثنائي القناة N-Channel MOSFET
الحزمة: SOT-163
BVDSS(V): 20
ID(A): 4.3
VGSS(V): 12
RDSON(mΩ): 30
PD(W): 1.25

تواصل معنا

Related Search