сравнение на мос и биполярни транзистори: разлики и области на приложение

Транзисторите намират общи приложения в схеми за превключващи операции или в конфигурации за усилване. Сред многобройните категории транзистори, налични днес, най-уникалните и широко използвани са Метал-Оксид-Семiconductor (мос)транзистори и Биполярни Съединителни Транзистори (BJT). В тази статия обаче имаме намерение да предоставим сравнение на тези две полупроводникови устройства въз основа на техните вродени характеристики, функции, пречки и основна употреба.

Ключови разлики: Механизъм на свойствата

Работата на двете устройства е една област, в която съществува най-забележимото различие. За и двете устройства, MOS и биполярни транзистори, понякога действат като превключватели и усилватели, начинът на действие обаче е доста различен. Превключването при MOS транзистор се извършва чрез промяна на проводимостта на канала чрез електрическите полета, предизвикани от напрежението на вратата. Това обяснява бързото включване и изключване при умерено напрежение с минимални загуби на мощност, когато устройството е в покой или в изключено състояние.

Показатели за производителност: Скорост, Консумация на енергия и Шум

скорост:

Скоростта сама по себе си е, когато MOS транзисторите се сравняват с биполярни транзистори, тогава шансовете остават, че първите ще бъдат доста благоприятни и следователно, ако се използват, ще бъдат в приложения с висока честота и цифрови логически вериги. Способността да се включват и изключват MOS устройствата за кратък период от време позволява на устройствата да извършват операции по обработка на сложни сигнали, където съществуват ефекти или шум.

консумация на енергия:

Всъщност и що се отнася до аспектите на спестяване на енергия, в повечето случаи, в този случай, МО има предимство пред своите биполярни съответствия синьо, докато CMOS биполярният е направен с почти нулева статична мощност в режим на готовност през повечето време. Това е доста полезно за проекти за създаване на преносими устройства или устройства, захранвани с батерии и дизайни, които не изискват висока мощност.

шум:

Биполярните транзистори са наблюдавани да бъдат по-малко шумни в сравнение с МОС устройствата, особено при работа с ниска честота, което обикновено е желано в аналоговите схеми поради огромното злоупотреба с отношението сигнал-шум. В това отношение обаче, подобрението на МОС устройствата е намалило нивото на графичния шум, правейки разликата по-малка.

Така че изглежда, че използването на MOS или биполярни транзистори ще зависи най-вече от изискванията на задачата. В случай че е необходима висока честота, добро качество и ниска консумация на енергия за цифрова синтеза, все пак MOS транзисторите са подходящи за това. Все пак в системи за наказание, където висока линейност и нисък шум са задължителни, биполярните предсказатели не са на ниво.