VNQ660SP nový originální bodový napájecí elektronický spínací čip IC SOP-10 integrovaný obvod IC

VNQ660SP je čtyřkanálový IO spínače na vysoké straně s nízkým odporem při zapnutí a schopností vysokého proudu. Využívá technologii STripFET III Mosfet společnosti STMicroelectronics pro aplikace spínání výkonu.

VNQ660SP je zabalen v PowerSO-10, což je pouzdro pro povrchovou montáž, které kombinuje nízký odpor při zapnutí, vysoký jmenovitý proud a vynikající tepelný výkon. Pouzdro PowerSO-10 se skládá z 10 vývodů, s centrální podložkou pro připojení matrice a kovovým chladičem na horní straně. Pouzdro má půdorys 10,4 mm x 10,4 mm a výšku 2,3 mm. Pouzdro zvládne trvalý proud až 270 A a teplotu přechodu až 175 °C.

VNQ660SP používá exkluzivní vnitřní lepení pásky pro připojení matrice k vývodům. To snižuje parazitní indukčnost a odpor a zlepšuje elektrický a tepelný výkon pouzdra. Balíček se také vyznačuje nízkým nábojem hradla, který snižuje spínací ztráty a zvyšuje účinnost obvodu.

VNQ660SP integruje čtyři N-kanálové tranzistory Mosfet, každý s vyhrazeným vstupním pinem a společným výstupním pinem. Mosfety jsou založeny na nízkonapěťové technologii Mosfet STMicroelectronics STripFET III, která nabízí extrémně nízký odpor při zapnutí a vysokou proudovou hustotu. STripFET III Mosfety jsou založeny na struktuře zákopové brány a patentovaném křemíkovém procesu, který minimalizuje ztráty vedení a spínání. STripFET III Mosfety jsou k dispozici od 20 V do 75 V průrazného napětí a od 1 mOhm do 10 mOhm zapnutí.

VNQ660SP poskytuje několik ochranných funkcí, jako je omezení proudu, detekce otevřeného zatížení, přehřátí a přepětí. Zařízení má také výstup stavového příznaku, který indikuje přítomnost poruchového stavu. Zařízení pracuje v rozsahu napájecího napětí od 6 V do 36 V a má typickou dobu zapnutí 70 μs a typickou dobu vypnutí 140 μs.

VNQ660SP je vhodný pro různé aplikace spínání výkonu, jako jsou DC-DC měniče, motorové pohony, systémy správy baterií a spínače zátěže. Pro tyto aplikace může poskytnout vysokou účinnost, vysokou spolehlivost a vysokou hustotu výkonu.

VNQ660SP je součástí portfolia výkonových zařízení společnosti STMicroelectronics, které zahrnuje diskrétní tranzistory, diody, IGBT, tyristory a výkonové moduly. STMicroelectronics je předním výrobcem výkonových zařízení s více než 30 lety zkušeností a inovací v oboru. Společnost STMicroelectronics si klade za cíl poskytovat nejlepší řešení pro řízení a konverzi energie a umožnit udržitelnou budoucnost čisté energie.