VNQ660SP nouvelle puce de commutation électronique de puissance spot d’origine IC circuit intégré SOP-10 IC

Le VNQ660SP est un circuit intégré de commutation haut à quatre canaux avec une faible résistance à l’état passant et une capacité de courant élevée. Il utilise la technologie Mosfet STripFET III de STMicroelectronics pour les applications de commutation de puissance.

Le VNQ660SP est emballé dans un PowerSO-10, qui est un boîtier à montage en surface qui combine une faible résistance à l’état passant, un courant nominal élevé et d’excellentes performances thermiques. Le boîtier PowerSO-10 se compose de 10 fils, avec un tampon de fixation central et un dissipateur thermique en métal sur le dessus. L’emballage a une empreinte au sol de 10,4 mm x 10,4 mm et une hauteur de 2,3 mm. Le boîtier peut gérer jusqu’à 270 A de courant continu et jusqu’à 175 °C de température de jonction.

Le VNQ660SP utilise une liaison interne exclusive en ruban pour relier la matrice aux fils. Cela réduit l’inductance et la résistance parasites, et améliore les performances électriques et thermiques du boîtier. Le boîtier dispose également d’une faible charge de porte, ce qui réduit les pertes de commutation et augmente l’efficacité du circuit.

Le VNQ660SP intègre quatre Mosfet à canal N, chacun avec une broche d’entrée dédiée et une broche de sortie commune. Les Mosfet sont basés sur la technologie Mosfet basse tension STripFET III de STMicroelectronics, qui offre une résistance à l’état passant extrêmement faible et une densité de courant élevée. Les Mosfet STripFET III sont basés sur une structure de tranchée et un procédé de silicium exclusif qui minimise les pertes de conduction et de commutation. Les Mosfet STripFET III sont disponibles de 20 V à 75 V de tension de claquage, et de 1 mOhm à 10 mOhm de résistance à l’état passant.

Le VNQ660SP offre plusieurs fonctions de protection, telles que la limitation de courant, la détection de charge ouverte, la surchauffe et la surtension. L’appareil dispose également d’une sortie d’indicateur d’état qui indique la présence d’une condition de défaut. L’appareil fonctionne à partir d’une plage de tension d’alimentation de 6 V à 36 V, et a un temps de marche typique de 70 μs et un temps d’arrêt typique de 140 μs.

Le VNQ660SP convient à diverses applications de commutation de puissance, telles que les convertisseurs DC-DC, les variateurs de moteur, les systèmes de gestion de batterie et les commutateurs de charge. Il peut fournir un rendement élevé, une fiabilité élevée et une densité de puissance élevée pour ces applications.

Le VNQ660SP fait partie de la gamme de dispositifs de puissance de STMicroelectronics, qui comprend des transistors discrets, des diodes, des IGBT, des thyristors et des modules de puissance. STMicroelectronics est l’un des principaux fabricants de dispositifs de puissance, avec plus de 30 ans d’expérience et d’innovation dans le domaine. STMicroelectronics a pour objectif de fournir les meilleures solutions de gestion et de conversion de l’énergie, et de permettre un avenir durable et propre.