VNQ660SP新しいオリジナルスポットパワー電子スイッチチップIC SOP-10集積回路IC

このVNQ660SPは、低オン抵抗と高電流能力を備えたクワッドチャネルのハイサイドスイッチICです。STMicroelectronicsのSTripFET III MOSFET技術をパワースイッチングアプリケーションに使用しています。

このVNQ660SPは、低オン抵抗、高電流定格、優れた熱性能を兼ね備えた表面実装パッケージであるPowerSO-10にパッケージされています。PowerSO-10パッケージは10本のリード線で構成されており、中央にダイアタッチパッドと上部に金属製のヒートシンクがあります。パッケージのフットプリントは10.4mm x 10.4mm、高さは2.3mmです。このパッケージは、最大270Aの連続電流と最大175°Cのジャンクション温度を処理できます。

このVNQ660SPは、専用の内部リボンボンディングを使用して、ダイをリード線に接続します。これにより、寄生インダクタンスと寄生抵抗が低減され、パッケージの電気的および熱的性能が向上します。また、このパッケージはゲート電荷が低いため、スイッチング損失が低減され、回路の効率が向上します。

このVNQ660SPは、4つのNチャネルMOSFETを統合しており、それぞれに専用の入力ピンと共通の出力ピンがあります。このMOSFETは、STMicroelectronicsのSTripFET III低電圧MOSFET技術に基づいており、非常に低いオン抵抗と高電流密度を提供します。STripFET III MOSFETは、トレンチゲート構造と独自のシリコンプロセスに基づいており、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。STripFET III MOSFETは、20V〜75Vのブレークダウン電圧、および1mΩ〜10mΩのオン抵抗で利用できます。

このVNQ660SPには、電流制限、オープン負荷検出、過熱、過電圧など、いくつかの保護機能があります。このデバイスには、障害状態の存在を示すステータス フラグ出力もあります。このデバイスは、6V〜36Vの電源電圧範囲で動作し、標準オン時間は70μs、標準オフ時間は140μsです。

このVNQ660SPは、DC-DCコンバータ、モータドライブ、バッテリ管理システム、負荷スイッチなど、さまざまなパワースイッチングアプリケーションに適しています。これらのアプリケーションに高効率、高信頼性、高電力密度を提供できます。

このVNQ660SPは、STMicroelectronicsのパワーデバイスポートフォリオの一部であり、ディスクリートトランジスタ、ダイオード、IGBT、サイリスタ、およびパワーモジュールが含まれます。STマイクロエレクトロニクスは、パワーデバイスのリーディング・メーカーであり、この分野で30年以上の経験と革新性を有しています。STマイクロエレクトロニクスは、パワー・マネージメントおよびパワー・コンバージョンに最適なソリューションを提供し、持続可能なクリーン・エネルギーの未来を実現することを目指しています。