VNQ660SP 新オリジナルスポットパワー電子スイッチチップ IC SOP-10 集積回路 IC

Vnq660spは低電阻と高電流の能力を持つ四チャネル高サイドスイッチICです. 電力スイッチアプリケーションのためにSTmicroelectronicsのストリップフェットIIIモスフェット技術を使用します.

vnq660spは,低電阻,高電流評価,優れた熱性能を組み合わせた表面マウントパッケージであるpowerso-10にパッケージ化されています. powerso-10パッケージは10本の電源で構成され,中央ダイアアサックパッドと金属熱吸収器を上部に配置しています.パッケージは10.4mm x 10.4mmの

vnq660spは,ダイをリードに接続するために専用内部リボン結合を使用します.これは寄生性誘導力と抵抗を軽減し,パッケージの電気および熱性能を改善します.パッケージには低ゲート充電も機能しており,スイッチ損失を軽減し,回路の効率を向上させます.

Vnq660spは4つのnチャネルモスフェットを統合し,それぞれ専用入力ピンと共通の出力ピンを持っています.モスフェットは,非常に低オン抵抗と高電流密度を提供するStmicroelectronicsのストリップフェットIII低電圧モスフェット技術に基づいています.ストリップフェットIIIモスフェットは,

vnq660spは,電流制限,開放負荷検出,過熱,過電圧などのいくつかの保護機能を提供します.デバイスには故障状態の存在を示すステータスフラグ出力も備えています.デバイスは6vから36vの供給電圧範囲から動作し,典型的なオンタイムが70μsで,典型的なオフタイムが140μ

vnq660spは,DC-DC変換機,モーター駆動機,バッテリー管理システム,負荷スイッチなどの様々な電力切り替えるアプリケーションに適しています.これらのアプリケーションに高効率,高信頼性,高電力密度を提供できます.

vnq660spは,離散トランジスタ,ダイオード,IGBT,タイリスター,電源モジュールを含むSTmicroelectronicsの電源デバイスポートフォリオの一部です.STmicroelectronicsは,この分野での30年以上の経験と革新を備えた電源デバイスの主要なメーカーです.STmicroelectronicsは