MOS와 바이폴라 트랜지스터의 비교: 차이점 및 적용 분야

트랜지스터는 스위칭 작동을 위한 회로 또는 증폭 구성에서 일반적인 응용 분야를 찾습니다. 오늘날 사용 가능한 수많은 범주의 트랜지스터 중에서 가장 독특하고 널리 사용되는 것은 금속-산화물-반도체(이끼)트랜지스터 및 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT). 그러나 이 기사에서는 이 두 반도체 장치의 고유한 특성, 특징, 장애물 및 기본 사용법을 기반으로 비교하려고 합니다.

주요 차이점: 속성의 메커니즘

두 장치의 작동은 가장 눈에 띄는 차이점이 존재하는 영역 중 하나입니다. 이 두 장치 모두에서 MOS 및 바이폴라 트랜지스터는 때때로 스위치와 증폭기 역할을 하지만 그렇게 하는 방식은 상당히 다릅니다. 스위칭은 게이트 전압에 의해 발생하는 전기장에 의해 채널의 전도도를 변경하여 MOS 트랜지스터에 의해 진행됩니다. 이는 장치가 유휴 상태이거나 꺼진 상태일 때 전력 손실을 최소화하면서 적당한 전압에서 빠르게 스위치를 켜고 끄는 것을 설명합니다.

성능 메트릭: 속도, 전력 소비 및 소음

속도:

속도만 해도 MOS 트랜지스터를 바이폴라 트랜지스터와 비교할 때 전자가 상당히 유리할 가능성이 남아 있으므로 사용되는 경우 고주파 응용 프로그램 및 디지털 논리 회로에 사용될 것입니다. 짧은 시간 내에 MOS 장치를 켜고 끌 수 있는 기능을 통해 장치는 효과나 노이즈가 있는 복잡한 신호를 처리하는 작업을 수행할 수 있습니다.

전력 소비:

사실 그리고 절전 측면과 관련하여 대부분의 경우,이 경우 MO는 바이폴라 청색보다 우위에 있는 반면 CMOS 바이폴라는 대부분의 시간 동안 거의 0에 가까운 대기 정적 전력으로 만들어집니다. 이것은 고전력이 필요하지 않은 휴대용 장치 또는 배터리 구동 장치 및 디자인을 만드는 프로젝트에 매우 유용합니다.

소음:

바이폴라 트랜지스터는 MOS 장치에 비해 잡음이 덜한 것으로 관찰되었으며, 특히 신호 대 잡음비의 큰 남용으로 인해 일반적으로 아날로그 회로에서 필요한 저주파 작동에서 그렇습니다. 그러나 이 점에서, MOS 소자의 개선은 그래프업 잡음 수준을 감소시켜 갭을 더 작게 만들었다.

따라서 MOS 또는 바이폴라 트랜지스터의 사용은 주로 작업의 요구 사항에 따라 달라지는 것으로 보입니다. 고주파, 우수한 품질 및 낮은 전력 소비 디지털 합성이 필요한 경우에도 MOS 트랜지스터가 적합합니다. 여전히 높은 선형성과 낮은 잡음이 필수인 처벌 시스템에서는 양극성 예측 변수가 기대에 미치지 못합니다.