모스와 양극 트랜지스터의 비교: 차이점과 응용 분야

트랜지스터는 스위칭 작업이나 증폭 구성에서 회로에 일반적으로 사용됩니다. 오늘날 사용 가능한 수많은 트랜지스터 카테고리 중에서 가장 독특하고 널리 사용되는 것은 금속-산화물-반도체 (모스)트랜지스터와 바이폴라 접합 트랜지스터 (BJT)입니다. 그러나 이 기사에서는 이러한 두 반도체 장치의 고유한 특성, 기능, 장애물 및 기본 사용을 기반으로 비교를 제공할 예정입니다.

주요 차이점: 특성의 메커니즘

두 장치의 작동은 가장 두드러진 차이가 존재하는 한 영역입니다. 이 두 장치 모두 MOS 및 바이폴라 트랜지스터는 때때로 스위치 및 증폭기로 작용하지만, 그 방식은 상당히 다릅니다. 스위칭은 MOS 트랜지스터에 의해 게이트 전압에 의해 발생하는 전기장에 의해 채널의 전도성을 변경함으로써 진행됩니다. 이는 장치가 유휴 상태이거나 꺼져 있을 때 최소한의 전력 손실로 중간 전압에서 빠르게 켜지고 꺼지는 것을 설명합니다.

성능 지표: 속도, 전력 소비 및 노이즈

속도:

속도만으로 MOS 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터와 비교될 때, 전자는 상당히 유리할 가능성이 남아 있으며 따라서 사용될 경우 고주파 응용 프로그램 및 디지털 논리 회로에서 사용될 것입니다. MOS 장치를 짧은 시간 내에 켜고 끌 수 있는 능력은 장치가 효과나 노이즈가 존재하는 복잡한 신호를 처리하는 작업을 수행할 수 있게 합니다.

전력 소비:

사실과 전력 절약 측면에 관해서, 대부분의 경우, 이 경우에 MO는 그들의 양극 대조군인 블루보다 우위를 점하고 있으며, CMOS 양극은 대부분의 시간 동안 거의 제로에 가까운 대기 정적 전력을 가지고 있습니다. 이는 휴대용 장치나 배터리 전원 장치 및 높은 전력이 필요하지 않은 설계 프로젝트에 매우 유익합니다.

소음:

양극 트랜지스터는 MOS 장치에 비해 특히 아날로그 회로에서 신호 대 잡음 비율의 큰 남용으로 인해 일반적으로 원하는 저주파 작동에서 덜 시끄럽다는 것이 관찰되었습니다. 그러나 이 점에서 MOS 장치의 개선은 그래프업 잡음 수준을 줄여 격차를 작게 만들었습니다.

따라서 MOS 또는 바이폴라 트랜지스터의 사용은 주로 작업의 요구 사항에 따라 달라질 것으로 보입니다. 높은 주파수, 좋은 품질 및 낮은 전력 소비의 디지털 합성이 필요한 경우 여전히 MOS 트랜지스터가 적합합니다. 그러나 높은 선형성과 낮은 잡음이 필수인 처벌 시스템에서는 바이폴라 예측기가 기준에 미치지 못합니다.