Shenzhen Keshijin Electronics Co., LTD
ENEN
Visi kategorijas
ENEN
banner

MOS

sākumlapa >  Produkti  >  MOS

Produkta kategorija

KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)

KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)

Izpēte
  • Pārskats
  • Izpēte
  • Saistītie produkti
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
KO6604 Siltkrāsas uzskriešana F48E Pakotne SOT 23-6 Jauns oriģinālais krājums 1 N kanāls un 1 P kanāls Lauka efekta tranzistora (MOSFET)
Apzīmējums: Komplementārs MOSFET
Pakotne: SOT23-6
BVDSS(V): 20
ID(A): 3.4
VGSS(V): 8
VTH(Min.): 0.4
VTH(Max.): 1
RDSON(mΩ): 65
PD(W): 1.1

Sazinieties ar mums

Related Search