VNQ660SP ċippa ta 'swiċċ elettroniku ta' qawwa spot oriġinali ġdida IC SOP-10 ċirkwit integrat IC

Il-VNQ660SP huwa quad channel high-side switch IC b'reżistenza baxxa fuq il-post u kapaċità ta 'kurrent għoli. Juża t-teknoloġija STripFET III Mosfet ta 'STMicroelectronics għal applikazzjonijiet ta' swiċċjar tal-enerġija.

Il-VNQ660SP huwa ppakkjat f'PowerSO-10, li huwa pakkett ta 'muntatura tal-wiċċ li jgħaqqad reżistenza baxxa fuq ir-reżistenza, klassifikazzjoni ta' kurrent għoli, u prestazzjoni termali eċċellenti. Il-pakkett PowerSO-10 jikkonsisti f'10 ċomb, b'kuxxinett ċentrali tad-die attach u sink tas-sħana tal-metall fuq in-naħa ta 'fuq. Il-pakkett għandu footprint ta' 10.4 mm x 10.4 mm u għoli ta' 2.3 mm. Il-pakkett jista' jimmaniġġa sa 270 A ta' kurrent kontinwu u sa 175 °C ta' temperatura tal-junction.

Il-VNQ660SP juża rbit esklussiv intern taż-żigarella biex jgħaqqad id-die maċ-ċomb. Dan inaqqas l-induttanza u r-reżistenza parassitika, u jtejjeb il-prestazzjoni elettrika u termali tal-pakkett. Il-pakkett fih ukoll ċarġ baxx tal-bieba, li jnaqqas it-telf tal-bdil u jżid l-effiċjenza taċ-ċirkwit.

Il-VNQ660SP jintegra erba 'Mosfets tal-kanal N, kull wieħed b'pin ta' input iddedikat u pin ta 'ħruġ komuni. Il-Mosfets huma bbażati fuq it-teknoloġija Mosfet ta 'vultaġġ baxx STMicroelectronics' STMicroelectronics, li toffri reżistenza estremament baxxa u densità ta 'kurrent għoli. Il-Mosfets STripFET III huma bbażati fuq struttura trench-gate u proċess proprjetarju tas-silikon li jimminimizza t-telf tal-konduzzjoni u l-bdil. Il-Mosfets STripFET III huma disponibbli minn 20 V sa 75 V ta 'vultaġġ ta' tqassim, u minn 1 mOhm sa 10 mOhm ta 'reżistenza on-resistance.

Il-VNQ660SP jipprovdi diversi karatteristiċi ta 'protezzjoni, bħal limitazzjoni tal-kurrent, skoperta ta' tagħbija miftuħa, temperatura żejda, u vultaġġ żejjed. L-apparat għandu wkoll output tal-bandiera tal-istatus li jindika l-preżenza ta' kundizzjoni ta' ħsara. L-apparat jopera minn medda ta' vultaġġ tal-provvista ta' 6 V sa 36 V, u għandu ħin tipiku fil-ħin ta' 70 μs u off-time tipiku ta' 140 μs.

Il-VNQ660SP huwa adattat għal diversi applikazzjonijiet ta 'swiċċjar tal-enerġija, bħal konvertituri DC-DC, drives tal-mutur, sistemi ta' ġestjoni tal-batterija, u swiċċijiet tat-tagħbija. Jista 'jipprovdi effiċjenza għolja, affidabilità għolja, u densità ta' qawwa għolja għal dawn l-applikazzjonijiet.

Il-VNQ660SP huwa parti mill-portafoll ta 'apparati tal-enerġija ta' STMicroelectronics, li jinkludi transisters diskreti, dajowds, IGBTs, tiristori, u moduli tal-enerġija. STMicroelectronics huwa manifattur ewlieni ta 'apparat tal-enerġija, b'aktar minn 30 sena ta' esperjenza u innovazzjoni fil-qasam. STMicroelectronics għandha l-għan li tipprovdi l-aħjar soluzzjonijiet għall-ġestjoni u l-konverżjoni tal-enerġija, u li tippermetti futur sostenibbli u nadif tal-enerġija.