VNQ660SP nowy oryginalny układ scalony przełącznika elektronicznego mocy punktowej IC SOP-10 układ scalony IC

VNQ660SP to czterokanałowy układ scalony przełącznika high-side o niskiej rezystancji włączenia i wysokiej wydajności prądowej. Wykorzystuje technologię STripFET III Mosfet firmy STMicroelectronics do zastosowań związanych z przełączaniem zasilania.

VNQ660SP jest zapakowany w PowerSO-10, który jest pakietem do montażu powierzchniowego, który łączy w sobie niską rezystancję włączenia, wysoki prąd znamionowy i doskonałą wydajność termiczną. Pakiet PowerSO-10 składa się z 10 przewodów, z centralną podkładką do mocowania matrycy i metalowym radiatorem na górze. Opakowanie ma wymiary 10,4 mm x 10,4 mm i wysokość 2,3 mm. Pakiet może obsłużyć do 270 A prądu ciągłego i do 175 °C temperatury złącza.

VNQ660SP wykorzystuje ekskluzywne wewnętrzne wiązanie taśmy do łączenia matrycy z przewodami. Zmniejsza to pasożytniczą indukcyjność i rezystancję oraz poprawia wydajność elektryczną i cieplną pakietu. Pakiet charakteryzuje się również niskim ładunkiem bramki, co zmniejsza straty przełączania i zwiększa wydajność obwodu.

VNQ660SP integruje cztery N-kanałowe tranzystory Mosfet, każdy z dedykowanym pinem wejściowym i wspólnym pinem wyjściowym. Tranzystory Mosfet są oparte na niskonapięciowej technologii MOSFET III firmy STMicroelectronics, która oferuje wyjątkowo niską rezystancję włączenia i wysoką gęstość prądu. Mosfety STripFET III są oparte na strukturze bramki wykopowej i opatentowanym procesie krzemowym, który minimalizuje straty związane z przewodzeniem i przełączaniem. Tranzystory MOSFET STripFET III są dostępne w zakresie napięcia przebicia od 20 V do 75 V i rezystancji włączenia od 1 mOhm do 10 mOhm.

VNQ660SP zapewnia kilka funkcji ochronnych, takich jak ograniczenie prądu, wykrywanie otwartego obciążenia, nadmierna temperatura i nadmierne napięcie. Urządzenie posiada również wyjście flagi stanu, które wskazuje na obecność usterki. Urządzenie działa w zakresie napięcia zasilania od 6 V do 36 V, a jego typowy czas włączenia wynosi 70 μs, a typowy czas wyłączenia wynosi 140 μs.

VNQ660SP nadaje się do różnych zastosowań związanych z przełączaniem zasilania, takich jak przetwornice DC-DC, napędy silnikowe, systemy zarządzania akumulatorami i przełączniki obciążenia. Może zapewnić wysoką wydajność, wysoką niezawodność i wysoką gęstość mocy w tych zastosowaniach.

VNQ660SP jest częścią portfolio urządzeń zasilających STMicroelectronics, które obejmuje tranzystory dyskretne, diody, tranzystory IGBT, tyrystory i moduły mocy. STMicroelectronics to wiodący producent urządzeń zasilających, z ponad 30-letnim doświadczeniem i innowacjami w tej dziedzinie. STMicroelectronics ma na celu dostarczanie najlepszych rozwiązań w zakresie zarządzania i konwersji energii oraz umożliwienie zrównoważonej, czystej energii przyszłości.