Shenzhen Keshijin Electronics Co., LTD
ENEN
Vse kategorije
ENEN
banner

MOS

domača stran >  Izdelki  >  MOS

Kategorija Izdelkov

2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.

2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.

poizvedba
  • pregled
  • poizvedba
  • Povezani produkti
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
2KJ6045DFN SilkScreen J6045KCC1G PackagePDFN 3.3x3.3-8 Nov originalni diskretni polprevodniški tranzistor z učinkom polja.
Opis P-Channel MOSFET
Paket PDFN3.3×3.3-8
BVDSS(V) -30
ID(A) -50
VGSS(V) 20
VTH(Min.) -1
VTH(Max.) -2
RDSON (mΩ) 13
Qg (nC)
PD (W) 35.7

Ostanite v stiku

Related Search