Shenzhen Keshijin Electronics Co., LTD
Tất cả danh mục
banner

Chip quản lý năng lượng

Nhà >  Sản phẩm  >  Chip quản lý năng lượng

VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC

VNQ660SP chip chuyển đổi điện tử nguồn tại chỗ ban đầu mới IC IC mạch tích hợp SOP-10

VNQ660SP là một IC chuyển mạch phía cao bốn kênh với STripFET III Mosfets trong gói PowerSO-10. Nó cung cấp điện trở thấp, khả năng dòng điện cao và các tính năng bảo vệ cho các ứng dụng chuyển đổi nguồn.

  • Tổng quan
  • Thông số
  • Yêu cầu
  • Những sản phẩm tương tự
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP
Số bộ phận DigiKey497-2700-5-ND
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
Số sản phẩm của nhà sản xuấtVNQ660SP
Sự miêu tảTRÌNH ĐIỀU KHIỂN IC PWR N-CHAN 1: 1 PWRSO10
Mô tả chi tiếtCông tắc nguồn / Trình điều khiển 1: 1 N-Channel 6A 10-PowerSO
Tài liệu tham khảo của khách hàng
Thuộc tính sản phẩm
KIỂUSỰ MIÊU TẢCHỌN TẤT CẢ
LoạiMạch tích hợp (IC)
Quản lý năng lượng (PMIC)
Công tắc phân phối điện, trình điều khiển tải
Mfr
Loạt-
GóiỐng
Tình trạng sản phẩmLỗi thời
Loại công tắcMục đích chung
Số lượng kết quả đầu ra4
Tỷ lệ - Đầu vào: Đầu ra1:01
Cấu hình đầu raMặt cao
Loại đầu raKênh N
Giao diệnBật/Tắt
Điện áp - Tải6V ~ 36V
Điện áp - Nguồn điện (Vcc / Vdd)Không bắt buộc
Hiện tại - Đầu ra (Tối đa)6Một
RDS On (Typ)40mOhm
Loại đầu vàoKhông đảo ngược
Tính năngCờ trạng thái
Bảo vệ lỗiGiới hạn dòng điện (cố định), phát hiện tải mở, quá nhiệt, quá điện áp
Nhiệt độ hoạt động-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Loại lắp đặtGiá treo bề mặt
Gói thiết bị nhà cung cấp10-PowerSO
Gói / Trường hợpPowerSO-10 Miếng đệm dưới cùng tiếp xúc
Số sản phẩm cơ sởVNQ660

VNQ660SP là một IC chuyển mạch phía cao bốn kênh với điện trở thấp và khả năng dòng điện cao. Nó sử dụng công nghệ STripFET III Mosfet của STMicroelectronics cho các ứng dụng chuyển đổi nguồn.

 

Máy VNQ660SP được đóng gói trong PowerSO-10, là gói gắn trên bề mặt kết hợp điện trở thấp, xếp hạng dòng điện cao và hiệu suất nhiệt tuyệt vời. Gói PowerSO-10 bao gồm 10 dây dẫn, với một miếng gắn khuôn trung tâm và một tản nhiệt kim loại ở phía trên. Gói có kích thước 10,4 mm x 10,4 mm và chiều cao 2,3 mm. Gói có thể xử lý dòng điện liên tục lên đến 270 A và nhiệt độ đường giao nhau lên đến 175 ° C.

 

Máy VNQ660SP sử dụng liên kết ruy băng bên trong độc quyền để kết nối khuôn với dây dẫn. Điều này làm giảm độ tự cảm và điện trở ký sinh, và cải thiện hiệu suất điện và nhiệt của gói. Gói này cũng có mức phí cổng thấp, giúp giảm tổn thất chuyển mạch và tăng hiệu quả của mạch.

 

VNQ660SP tích hợp bốn Mosfet kênh N, mỗi Mosfet có một chân đầu vào chuyên dụng và một chân đầu ra chung. Mosfets dựa trên công nghệ Mosfet điện áp thấp STripFET III của STMicroelectronics, cung cấp điện trở cực thấp và mật độ dòng điện cao. STripFET III Mosfets dựa trên cấu trúc cổng rãnh và quy trình silicon độc quyền giúp giảm thiểu tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch. STripFET III Mosfets có sẵn từ 20 V đến 75 V điện áp sự cố và từ 1 mOhm đến 10 mOhm điện trở.

 

VNQ660SP cung cấp một số tính năng bảo vệ, chẳng hạn như giới hạn dòng điện, phát hiện tải mở, quá nhiệt độ và quá áp. Thiết bị cũng có đầu ra cờ trạng thái cho biết sự hiện diện của tình trạng lỗi. Thiết bị hoạt động từ dải điện áp cung cấp từ 6 V đến 36 V và có thời gian đúng giờ điển hình là 70 μs và thời gian tắt điển hình là 140 μs.

 

Thiết VNQ660SP này phù hợp với các ứng dụng chuyển đổi nguồn khác nhau, chẳng hạn như bộ chuyển đổi DC-DC, ổ đĩa động cơ, hệ thống quản lý pin và công tắc tải. Nó có thể cung cấp hiệu quả cao, độ tin cậy cao và mật độ năng lượng cao cho các ứng dụng này.

 

VNQ660SP này là một phần trong danh mục thiết bị điện của STMicroelectronics, bao gồm bóng bán dẫn rời rạc, điốt, IGBT, thyristor và mô-đun nguồn. STMicroelectronics là nhà sản xuất thiết bị điện hàng đầu, với hơn 30 năm kinh nghiệm và đổi mới trong lĩnh vực này. STMicroelectronics nhằm mục đích cung cấp các giải pháp tốt nhất để quản lý và chuyển đổi năng lượng, đồng thời cho phép một tương lai năng lượng sạch, bền vững.

 

Thuộc tính sản phẩm
KIỂUSỰ MIÊU TẢ
LoạiMạch tích hợp (IC)
Quản lý năng lượng (PMIC)
Công tắc phân phối điện, trình điều khiển tải
Mfr
Loạt-
GóiỐng
Tình trạng sản phẩmLỗi thời
Loại công tắcMục đích chung
Số lượng kết quả đầu ra4
Tỷ lệ - Đầu vào: Đầu ra1:01
Cấu hình đầu raMặt cao
Loại đầu raKênh N
Giao diệnBật/Tắt
Điện áp - Tải6V ~ 36V
Điện áp - Nguồn điện (Vcc / Vdd)Không bắt buộc
Hiện tại - Đầu ra (Tối đa)6Một
RDS On (Typ)40mOhm
Loại đầu vàoKhông đảo ngược
Tính năngCờ trạng thái
Bảo vệ lỗiGiới hạn dòng điện (cố định), phát hiện tải mở, quá nhiệt, quá điện áp
Nhiệt độ hoạt động-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Loại lắp đặtGiá treo bề mặt
Gói thiết bị nhà cung cấp10-PowerSO
Gói / Trường hợpPowerSO-10 Miếng đệm dưới cùng tiếp xúc
Số sản phẩm cơ sởVNQ660


LIÊN LẠC

Tìm kiếm liên quan