VNQ660SP neuer originaler Spot Power Electronic Switch Chip-IC SOP-10 IC mit integrierten Schaltkreisen

Der VNQ660SP ist ein vierkanaliger High-Side-Switch-IC mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Strombelastbarkeit. Es verwendet die STripFET III Mosfet-Technologie von STMicroelectronics für Leistungsschaltanwendungen.

Das VNQ660SP ist in einem PowerSO-10 untergebracht, einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das einen niedrigen Einschaltwiderstand, einen hohen Nennstrom und eine hervorragende thermische Leistung kombiniert. Das PowerSO-10-Gehäuse besteht aus 10 Anschlüssen mit einem zentralen Die-Attach-Pad und einem Metallkühlkörper auf der Oberseite. Das Gehäuse hat eine Grundfläche von 10,4 mm x 10,4 mm und eine Höhe von 2,3 mm. Das Gehäuse kann bis zu 270 A Dauerstrom und bis zu 175 °C Sperrschichttemperatur verarbeiten.

Das VNQ660SP verwendet eine exklusive interne Bandverklebung, um den Die mit den Leitungen zu verbinden. Dies reduziert die parasitäre Induktivität und den Widerstand und verbessert die elektrische und thermische Leistung des Gehäuses. Das Gehäuse zeichnet sich außerdem durch eine niedrige Gate-Ladung aus, die die Schaltverluste reduziert und den Wirkungsgrad der Schaltung erhöht.

Der VNQ660SP integriert vier N-Kanal-Mosfets mit jeweils einem dedizierten Eingangspin und einem gemeinsamen Ausgangspin. Die Mosfets basieren auf der STripFET III Niederspannungs-Mosfet-Technologie von STMicroelectronics, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Stromdichte bietet. Die STripFET III Mosfets basieren auf einer Trench-Gate-Struktur und einem proprietären Siliziumverfahren, das die Leitungs- und Schaltverluste minimiert. Die STripFET III Mosfets sind mit einer Durchbruchspannung von 20 V bis 75 V und einem Einschaltwiderstand von 1 mOhm bis 10 mOhm erhältlich.

Das VNQ660SP bietet verschiedene Schutzfunktionen, wie z. B. Strombegrenzung, Erkennung offener Lasten, Übertemperatur und Überspannung. Das Gerät verfügt außerdem über einen Statusflag-Ausgang, der das Vorhandensein einer Fehlerbedingung anzeigt. Der Baustein arbeitet in einem Versorgungsspannungsbereich von 6 V bis 36 V und hat eine typische Einschaltzeit von 70 μs und eine typische Ausschaltzeit von 140 μs.

Das VNQ660SP eignet sich für verschiedene Leistungsschaltanwendungen, wie z. B. DC/DC-Wandler, Motorantriebe, Batteriemanagementsysteme und Lastschalter. Es kann einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Zuverlässigkeit und eine hohe Leistungsdichte für diese Anwendungen bieten.

Das VNQ660SP ist Teil des Portfolios von STMicroelectronics an Leistungsbauelementen, zu dem diskrete Transistoren, Dioden, IGBTs, Thyristoren und Leistungsmodule gehören. STMicroelectronics ist ein führender Hersteller von Leistungsbauelementen mit über 30 Jahren Erfahrung und Innovation in diesem Bereich. Ziel von STMicroelectronics ist es, die besten Lösungen für das Energiemanagement und die Energieumwandlung anzubieten und eine nachhaltige, saubere Energiezukunft zu ermöglichen.