VNQ690SP neue Original auf Lager Stromverteilungsschalter PowerSO-10 IC mit integrierten Schaltkreisen

Das PowerSO-10 ist ein oberflächenmontierbares Gehäuse, das einen niedrigen Einschaltwiderstand, einen hohen Nennstrom und eine hervorragende thermische Leistung kombiniert. Er ist ideal für Leistungsschaltanwendungen mit der STripFET III Niederspannungs-Mosfet-Technologie von STMicroelectronics.

Das PowerSO-10-Gehäuse besteht aus 10 Anschlüssen mit einem zentralen Die-Attach-Pad und einem Metallkühlkörper auf der Oberseite. Das Gehäuse hat eine Grundfläche von 10,4 mm x 10,4 mm und eine Höhe von 2,3 mm. Das Gehäuse kann bis zu 270 A Dauerstrom und bis zu 175 °C Sperrschichttemperatur verarbeiten.

Das PowerSO-10-Gehäuse verwendet eine exklusive interne Bandbindung, um den Chip mit den Leitungen zu verbinden. Dies reduziert die parasitäre Induktivität und den Widerstand und verbessert die elektrische und thermische Leistung des Gehäuses. Das Gehäuse zeichnet sich außerdem durch eine niedrige Gate-Ladung aus, die die Schaltverluste reduziert und den Wirkungsgrad der Schaltung erhöht.

Das PowerSO-10-Gehäuse ist kompatibel mit der STripFET III Niederspannungs-Mosfet-Technologie von STMicroelectronics, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Stromdichte bietet. Die STripFET III Mosfets basieren auf einer Trench-Gate-Struktur und einem proprietären Siliziumverfahren, das die Leitungs- und Schaltverluste minimiert. Die STripFET III Mosfets sind mit einer Durchbruchspannung von 20 V bis 75 V und einem Einschaltwiderstand von 1 mOhm bis 10 mOhm erhältlich.

Das PowerSO-10-Gehäuse und die STripFET III Mosfet-Technologie eignen sich für verschiedene Leistungsschaltanwendungen, wie z. B. DC/DC-Wandler, Motorantriebe, Batteriemanagementsysteme und Lastschalter. Sie können für diese Anwendungen einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Zuverlässigkeit und eine hohe Leistungsdichte bieten.

Das PowerSO-10-Gehäuse und die STripFET III Mosfet-Technologie sind Teil des STMicroelectronics-Portfolios an Leistungsbauelementen, das diskrete Transistoren, Dioden, IGBTs, Thyristoren und Leistungsmodule umfasst. STMicroelectronics ist ein führender Hersteller von Leistungsbauelementen mit über 30 Jahren Erfahrung und Innovation in diesem Bereich. Ziel von STMicroelectronics ist es, die besten Lösungen für das Energiemanagement und die Energieumwandlung anzubieten und eine nachhaltige, saubere Energiezukunft zu ermöglichen.