VNQ660SP नई मूल स्पॉट पावर इलेक्ट्रॉनिक स्विच चिप आईसी SOP-10 एकीकृत सर्किट आईसी

VNQ660SP एक क्वाड चैनल हाइ-साइड स्विच IC है जिसमें कम ऑन-रिजिस्टेंस और उच्च धारा क्षमता होती है। इसमें STMicroelectronics की STripFET III Mosfet प्रौद्योगिकी का उपयोग पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है।

VNQ660SP को PowerSO-10 पैकेज में पैक किया गया है, जो एक सरफेस-माउंट पैकेज है जो कम ऑन-रिजिस्टेंस, उच्च धारा रेटिंग और उत्तम थर्मल प्रदर्शन को मिलाता है। PowerSO-10 पैकेज 10 लीड्स से बना है, जिसमें केंद्रीय डाय एटैच पैड और ऊपरी तरफ का मेटल हीट सिंक होता है। पैकेज का फुटप्रिंट 10.4 मिमी x 10.4 मिमी है और ऊँचाई 2.3 मिमी है। पैकेज 270 A की लगातार धारा और 175 °C की जंक्शन तापमान तक संभाल सकता है।

VNQ660SP में आंतरिक रिबन बांडिंग का उपयोग किया जाता है जिससे डाइस को लीड्स से जोड़ा जाता है। यह पैरासाइटिक इंडक्टेंस और प्रतिरोध को कम करता है, और पैकेज के विद्युत और थर्मल प्रदर्शन को सुधारता है। पैकेज में कम गेट चार्ज का भी समावेश है, जो स्विचिंग हानि को कम करता है और सर्किट की कुशलता को बढ़ाता है।

VNQ660SP में चार N-चैनल Mosfets का समावेश है, जिनमें से प्रत्येक का अपना विशेष इनपुट पिन है और एक सामान्य आउटपुट पिन है। ये Mosfets STMicroelectronics की STripFET III कम वोल्टेज Mosfet प्रौद्योगिकी पर आधारित हैं, जो अत्यधिक कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च धारा घनत्व प्रदान करती है। STripFET III Mosfets एक ट्रेंच-गेट संरचना और एक विशेष सिलिकॉन प्रक्रिया पर आधारित हैं जो चालन और स्विचिंग हानि को न्यूनतम करती है। STripFET III Mosfets 20 V से 75 V तक के विद्युत फैलाव और 1 mOhm से 10 mOhm तक के ऑन-प्रतिरोध के लिए उपलब्ध हैं।

VNQ660SP कई सुरक्षा विशेषताओं को प्रदान करता है, जैसे कि विद्युत धारा सीमा, खुले भार का पता लगाना, अधिक तापमान, और अधिक वोल्टेज। इस उपकरण में एक स्थिति फ्लैग आउटपुट भी होता है जो दोष परिस्थिति की उपस्थिति को संकेतित करता है। यह उपकरण 6 V से 36 V की सप्लाई वोल्टेज श्रेणी में काम करता है, और इसका सामान्य ऑन-समय 70 µs होता है और सामान्य ऑफ़-समय 140 µs होता है।

VNQ660SP विभिन्न पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जैसे DC-DC कनवर्टर, मोटर ड्राइव, बैटरी मैनेजमेंट सिस्टम, और भार स्विच। यह इन अनुप्रयोगों के लिए उच्च कार्यक्षमता, उच्च विश्वसनीयता, और उच्च पावर घनत्व प्रदान कर सकता है।

VNQ660SP, STMicroelectronics की पावर डिवाइसेज़ की पोर्टफोलियो का हिस्सा है, जिसमें डिस्क्रीट ट्रांजिस्टर, डायोड, IGBTs, थाइरिस्टर्स, और पावर मॉड्यूल्स शामिल हैं। STMicroelectronics पावर डिवाइसेज़ के निर्माण में 30 से अधिक सालों का अनुभव और चालाकता रखने वाला एक प्रमुख निर्माता है। STMicroelectronics पावर मैनेजमेंट और कनवर्शन के लिए सबसे बेहतर समाधान प्रदान करने का उद्देश्य रखता है और एक व्यवस्थित, शुद्ध-ऊर्जा भविष्य संभव बनाने का प्रयास करता है।