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VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC

VNQ660SP नया मूल स्पॉट पावर इलेक्ट्रॉनिक स्विच चिप आईसी एसओपी -10 एकीकृत सर्किट आईसी

VNQ660SP एक क्वाड चैनल हाई-साइड स्विच IC है जिसमें STripFET III Mosfets एक PowerSO-10 पैकेज में है। यह कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च वर्तमान क्षमता और पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए सुरक्षा सुविधाएँ प्रदान करता है।

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VNQ660SP new original spot power electronic switch chip IC SOP-10 integrated circuit IC
VNQ660SP
DigiKey भाग संख्या497-2700-5-एनडी
निर्माताएसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
निर्माता उत्पाद संख्याVNQ660SP
या क़िस्‍मआईसी पीडब्ल्यूआर चालक एन-चान 1:1 PWRSO10
विस्तृत विवरणपावर स्विच/ड्राइवर 1:1 एन-चैनल 6ए 10-पावरएसओ
ग्राहक संदर्भ
उत्पाद विशेषताएँ
प्रकारया क़िस्‍मसभी का चयन करें
कोटिएकीकृत सर्किट (आईसी)
पावर मैनेजमेंट (पीएमआईसी)
बिजली वितरण स्विच, लोड ड्राइवर
एमएफआर
शृंखला-
पैकेजनली
उत्पाद की स्थितिअव्‍यवहृत
स्विच प्रकारसामान्य प्रयोजन
आउटपुट की संख्या4
अनुपात - इनपुट: आउटपुट1:01
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशनउच्च पक्ष
उत्पादन प्रकार:एन-चैनल
इंटरफ़ेसचालू/बंद
वोल्टेज - लोड6 वी ~ 36 वी
वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc/Vdd)आवश्यक नहीं
वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम)6ए
आरडीएस ऑन (टाइप)40मीओम
इनपुट प्रकारनॉन-इनवर्टिंग
सुविधाऐंस्थिति ध्वज
दोष संरक्षणवर्तमान सीमित (निश्चित), खुला लोड पता लगाने, तापमान पर, वोल्टेज से अधिक
परिचालन तापमान-40 °C ~ 150 °C (TJ)
माउन्टिंग प्रकारसरफेस माउंट
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज10-पावरसो
पैकेज/केसPowerSO-10 एक्सपोज्ड बॉटम पैड
आधार उत्पाद संख्यावीएनक्यू660

VNQ660SP एक क्वाड चैनल हाई-साइड स्विच आईसी है जिसमें कम ऑन-रेजिस्टेंस और उच्च करंट क्षमता है। यह पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए STMicroelectronics 'STripFET III Mosfet तकनीक का उपयोग करता है।

 

VNQ660SP को PowerSO-10 में पैक किया गया है, जो एक सतह-माउंट पैकेज है जो कम प्रतिरोध, उच्च वर्तमान रेटिंग और उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन को जोड़ती है। PowerSO-10 पैकेज में 10 लीड होते हैं, जिसमें एक सेंट्रल डाई अटैच पैड और शीर्ष पर एक मेटल हीट सिंक होता है। थे पैकेज है a फुटप्रिंट ऑफ़ 10.4 मम x 10.4 मम एंड a हाइट ऑफ़ 2.3 मम. पैकेज निरंतर वर्तमान के 270 ए तक और जंक्शन तापमान के 175 डिग्री सेल्सियस तक संभाल सकता है।

 

VNQ660SP डाई को लीड से जोड़ने के लिए विशेष आंतरिक रिबन बॉन्डिंग का उपयोग करता है। यह परजीवी अधिष्ठापन और प्रतिरोध को कम करता है, और पैकेज के विद्युत और थर्मल प्रदर्शन में सुधार करता है। पैकेज में कम गेट चार्ज भी है, जो स्विचिंग नुकसान को कम करता है और सर्किट की दक्षता बढ़ाता है।

 

VNQ660SP चार एन-चैनल मोस्फेट्स को एकीकृत करता है, प्रत्येक में एक समर्पित इनपुट पिन और एक सामान्य आउटपुट पिन होता है। Mosfets STMicroelectronics 'STripFET III कम वोल्टेज Mosfet तकनीक पर आधारित हैं, जो बेहद कम प्रतिरोध और उच्च वर्तमान घनत्व प्रदान करता है। STripFET III Mosfets एक ट्रेंच-गेट संरचना और एक मालिकाना सिलिकॉन प्रक्रिया पर आधारित हैं जो चालन और स्विचिंग नुकसान को कम करता है। STripFET III Mosfets ब्रेकडाउन वोल्टेज के 20 V से 75 V तक और 1 mOhm से 10 mOhm ऑन-रेजिस्टेंस तक उपलब्ध हैं।

 

VNQ660SP कई सुरक्षा सुविधाएँ प्रदान करता है, जैसे कि वर्तमान सीमित, खुला लोड पहचान, तापमान से अधिक, और वोल्टेज पर। डिवाइस में एक स्टेटस फ्लैग आउटपुट भी है जो एक गलती की स्थिति की उपस्थिति को इंगित करता है। डिवाइस 6 वी से 36 वी की आपूर्ति वोल्टेज रेंज से संचालित होता है, और इसमें 70 μs का एक विशिष्ट ऑन-टाइम और 140 μs का एक विशिष्ट ऑफ-टाइम होता है।

 

VNQ660SP विभिन्न पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जैसे डीसी-डीसी कन्वर्टर्स, मोटर ड्राइव, बैटरी प्रबंधन प्रणाली और लोड स्विच। यह इन अनुप्रयोगों के लिए उच्च दक्षता, उच्च विश्वसनीयता और उच्च शक्ति घनत्व प्रदान कर सकता है।

 

VNQ660SP STMicroelectronics के बिजली उपकरणों के पोर्टफोलियो का हिस्सा है, जिसमें असतत ट्रांजिस्टर, डायोड, IGBTs, thyristors और पावर मॉड्यूल शामिल हैं। STMicroelectronics क्षेत्र में 30 से अधिक वर्षों के अनुभव और नवाचार के साथ बिजली उपकरणों का एक अग्रणी निर्माता है। STMicroelectronics का उद्देश्य बिजली प्रबंधन और रूपांतरण के लिए सर्वोत्तम समाधान प्रदान करना है, और एक स्थायी, स्वच्छ-ऊर्जा भविष्य को सक्षम करना है।

 

उत्पाद विशेषताएँ
प्रकारया क़िस्‍म
कोटिएकीकृत सर्किट (आईसी)
पावर मैनेजमेंट (पीएमआईसी)
बिजली वितरण स्विच, लोड ड्राइवर
एमएफआर
शृंखला-
पैकेजनली
उत्पाद की स्थितिअव्‍यवहृत
स्विच प्रकारसामान्य प्रयोजन
आउटपुट की संख्या4
अनुपात - इनपुट: आउटपुट1:01
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशनउच्च पक्ष
उत्पादन प्रकार:एन-चैनल
इंटरफ़ेसचालू/बंद
वोल्टेज - लोड6 वी ~ 36 वी
वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc/Vdd)आवश्यक नहीं
वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम)6ए
आरडीएस ऑन (टाइप)40मीओम
इनपुट प्रकारनॉन-इनवर्टिंग
सुविधाऐंस्थिति ध्वज
दोष संरक्षणवर्तमान सीमित (निश्चित), खुला लोड पता लगाने, तापमान पर, वोल्टेज से अधिक
परिचालन तापमान-40 °C ~ 150 °C (TJ)
माउन्टिंग प्रकारसरफेस माउंट
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज10-पावरसो
पैकेज/केसPowerSO-10 एक्सपोज्ड बॉटम पैड
आधार उत्पाद संख्यावीएनक्यू660


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