VNQ660SP नई मूल स्पॉट पावर इलेक्ट्रॉनिक स्विच चिप आईसी SOP-10 एकीकृत सर्किट आईसी

vnq660sp एक क्वाड चैनल हाई साइड स्विच आईसी है जिसमें कम प्रतिरोध और उच्च वर्तमान क्षमता है। यह पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए एसटीएमइलेक्ट्रॉनिक्स की स्ट्रिपफेट III मोस्फेट तकनीक का उपयोग करता है।

vnq660sp को एक powerso-10 में पैक किया गया है, जो एक सतह-माउंट पैकेज है जो कम प्रतिरोध, उच्च वर्तमान रेटिंग और उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन को जोड़ती है। powerso-10 पैकेज में 10 लीड होते हैं, जिसमें एक केंद्रीय डाई संलग्न पैड और शीर्ष पर एक धातु हीट डिंक होता है।

vnq660sp तारों के साथ मरने को जोड़ने के लिए विशेष आंतरिक रिबन बंधन का उपयोग करता है। यह परजीवी प्रेरण और प्रतिरोध को कम करता है, और पैकेज के विद्युत और थर्मल प्रदर्शन में सुधार करता है। पैकेज में एक कम गेट चार्ज भी है, जो स्विचिंग नुकसान को कम करता है और

vnq660sp चार एन-चैनल मोस्फेट को एकीकृत करता है, प्रत्येक एक समर्पित इनपुट पिन और एक सामान्य आउटपुट पिन के साथ। मोस्फेट एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स की स्ट्रिपफेट III कम वोल्टेज मोस्फेट तकनीक पर आधारित हैं, जो बेहद कम ऑन-प्रति

vnq660sp कई सुरक्षा सुविधाएँ प्रदान करता है, जैसे कि वर्तमान सीमित करना, खुले भार का पता लगाना, अधिक तापमान, और अधिक वोल्टेज। डिवाइस में एक स्थिति ध्वज आउटपुट भी है जो एक दोष की स्थिति की उपस्थिति को इंगित करता है। डिवाइस 6 वी से 36 वी की आपूर्ति वोल्टेज रेंज से संचालित होता है

vnq660sp विभिन्न पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जैसे डीसी-डीसी कन्वर्टर्स, मोटर ड्राइव, बैटरी प्रबंधन प्रणाली और लोड स्विच। यह इन अनुप्रयोगों के लिए उच्च दक्षता, उच्च विश्वसनीयता और उच्च शक्ति घनत्व प्रदान कर सकता है।

vnq660sp stmicroelectronics के पावर डिवाइस पोर्टफोलियो का हिस्सा है, जिसमें असतत ट्रांजिस्टर, डायोड, आईजीबीटी, थिरिस्टोर और पावर मॉड्यूल शामिल हैं। stmicroelectronics पावर डिवाइस का एक अग्रणी निर्माता है, जो इस क्षेत्र में 30 से अधिक वर्षों के अनुभव और नवाचार