VNQ690SP नया मूल स्टॉक में पावर डिस्ट्रीब्यूशन स्विच PowerSO-10 एकीकृत सर्किट आईसी

पावरSO-10 एक सरफेस-माउंट पैकेज है जो कम ऑन-रिसिस्टेन्स, उच्च करंट रेटिंग, और उत्तम थर्मल प्रदर्शन को मिलाता है। यह STMicroelectronics के STripFET III कम वोल्टेज Mosfet प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।

पावरSO-10 पैकेज 10 लीड्स से बना है, जिसमें एक केंद्रीय डाय पर एटैच पैड और ऊपरी भाग पर एक मेटल हीट सिंक होता है। पैकेज का फुटप्रिंट 10.4 मिमी x 10.4 मिमी और ऊंचाई 2.3 मिमी है। पैकेज 270 A की लगातार करंट और 175 °C की जंक्शन तापमान का समर्थन कर सकता है।

पावरएसओ-10 पैकेज आंतरिक रिबन बांडिंग का उपयोग करता है जिससे डाइस को लीड्स से जोड़ा जाता है। यह पैकेज की बहिष्क्रिय इंडक्टेंस और प्रतिरोध को कम करता है और पैकेज की विद्युत और थर्मल प्रदर्शन में सुधार करता है। इस पैकेज में कम गेट चार्ज का भी समावेश है, जो स्विचिंग हानि को कम करता है और सर्किट की कुशलता बढ़ाता है।

पावरएसओ-10 पैकेज STMicroelectronics के STripFET III कम वोल्टेज Mosfet प्रौद्योगिकी से संगत है, जो अत्यधिक कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च धारा घनत्व प्रदान करती है। STripFET III Mosfets एक ट्रेंच-गेट संरचना और विशेष सिलिकॉन प्रक्रिया पर आधारित हैं जो चालन और स्विचिंग हानि को न्यूनतम करती है। STripFET III Mosfets 20 V से 75 V तक के विघटन वोल्टेज और 1 mOhm से 10 mOhm तक के ऑन-प्रतिरोध तक उपलब्ध हैं।

PowerSO-10 पैकेज और STripFET III Mosfet तकनीक को विभिन्न पावर स्विचिंग एप्लिकेशन के लिए उपयुक्त माना जाता है, जैसे कि DC-DC कनवर्टर, मोटर ड्राइव, बैटरी मैनेजमेंट सिस्टम, और लोड स्विच। ये ऐसी एप्लिकेशन के लिए उच्च कार्यक्षमता, उच्च विश्वसनीयता, और उच्च पावर घनत्व प्रदान कर सकते हैं।

PowerSO-10 पैकेज और STripFET III Mosfet तकनीक STMicroelectronics के पावर डिवाइस पोर्टफोलियो का हिस्सा है, जिसमें डिस्क्रीट ट्रांजिस्टर, डायोड, IGBTs, थायरिस्टर, और पावर मॉड्यूल शामिल हैं। STMicroelectronics पावर डिवाइस का नेता निर्माता है, जिसके पास क्षेत्र में 30 से अधिक वर्षों का अनुभव और नवाचार है। STMicroelectronics का उद्देश्य पावर मैनेजमेंट और कनवर्शन के लिए सबसे बेहतर समाधान प्रदान करना है और एक सustainable, शुद्ध-ऊर्जा भविष्य संभव बनाना है।